ケイ酸ハフニウム(IV)

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ケイ酸ハフニウム(IV)（Hafnium(IV) silicate、HfSiO₄）は、ハフニウムのケイ酸塩である。

ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法（主にMOCVD）によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体（high-k dielectric）として使うことができる。

[編集] 関連項目

• 塩化ハフニウム(IV)
• ケイ酸ジルコニウム(IV)

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