ゲート絶縁膜

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電界効果トランジスタ(FET)において、ゲートとチャネルの間に存在する絶縁膜。図は電界効果トランジスタを参照のこと。 Si基板を用いたFETでは基板材料であるシリコンを酸化した熱酸化シリコンを主に用いている。 TFTなどにおいてはガラスの融点の関係上熱酸化はできず、プラズマを用いた化学気相成長(プラズマCVD)などで成膜がなされる。

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