ショットキー接合

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ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発明者のヴァルター・ショットキーによる。

同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。

PN接合に対してMS接合(Metal - Semiconductor接合)と呼ぶこともある。

[編集] 概要

• 半導体と金属を接合させたとき、半導体部分に、金属の仕事関数と半導体の持つ電子親和力（フェルミエネルギー）の差が、障壁として現れる場合がある。これをショットキー障壁と呼ぶ。
• 障壁の大きさは金属の種類によって異なり、また、半導体の種類や不純物の型、濃度によっても異なる。材料の組み合わせが適切でなければ、目的のショットキー障壁が現れず、単なる導通状態（オーミック接合）となる場合もある。
• ショットキー障壁が現れている場合、半導体部分における電位は、金属との接合部から離れるに従い次第に減少し、ある点で熱平衡状態の電位と等しくなる。金属との接合部からこの点までの間が空乏層となり、また、その電位差が順電圧となる。

[編集] ショットキー接合を利用した素子

• ショットキー接合はショットキーバリアダイオードのほか、MESFETにも用いられる。
• ショットキー接合素子はPN接合よりも以前に作られており、セレン整流器がそれにあたる。

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