ファラド
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| ファラド (farad) | |
|---|---|
 各種のコンデンサ |
|
| 記号 | F |
| 系 | 国際単位系（組立単位） |
| 量 | 静電容量 |
| 定義 | 1Cの電気量を充電したときに1Vの直流の電圧を生ずる2導体間の静電容量 |
静電容量1ファラドの電気二重層コンデンサ
ファラド（farad、記号:F）は、コンデンサ（キャパシタ、蓄電器）などの静電容量の単位（SI組立単位）である。名称はマイケル・ファラデーに由来するもので、ファラッドともいわれる。なお、同じくマイケル・ファラデーに由来するファラデーという単位があるが、これは電荷の単位である。
1ファラドは、「1クーロン(C)の電気量を充電したときに1ボルト(V)の直流の電圧を生ずる2導体間の静電容量」（計量単位令による）と定義される。
SI基本単位で組み立てると、
となる。
かつて（1990年代まで）のコンデンサにとっては、静電容量として1Fというのは非常に大きい単位であり、製品として存在しないものであったが、現在ではスーパーキャパシタなどで4.7Fというものや、用途によっては1kFといった、過去の常識からは巨大な容量を持つ素子も存在する。 ただし、このような大容量の素子は、一般の電子回路ではなく、もっぱら二次電池の代用としてバックアップ電源や、研究中のハイブリッドカーの動力用などの電力の貯蔵に使われているため、一般的な電子回路ではpFやµFといった小さな単位がよく用いられる。
[編集] 組立単位
[編集] ファラド毎メートル
誘電率の単位は、ファラド毎メートル（F/m）であり、
となる。
[編集] ダラフ
静電容量の逆数をエラスタンス（electrical elastance）ということがある。その単位は、ファラドの逆数であるため毎ファラド (F-1)となるが、farad を逆さまにしてダラフ（daraf）と呼ぶことがある。ダラフは、
となる。
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| 名称 | 記号 | 次元 | 物理量 |
|---|---|---|---|
| アンペア（SI基本単位） | A | A | 電流 |
| クーロン | C | A·s | 電荷・電気量 |
| ボルト | V | J/C = kg·m2·s−3·A−1 | 電圧・電位 |
| オーム | Ω | V/A = kg·m2·s−3·A−2 | 電気抵抗・インピーダンス・リアクタンス |
| オーム・メートル | Ω·m | kg·m3·s−3·A−2 | 電気抵抗率 |
| ワット | W | V·A = kg·m2·s−3 | 電力・放射束 |
| ファラド | F | C/V = kg−1·m−2·A2·s4 | 静電容量 |
| ファラド毎メートル | F/m | kg−1·m−3·A2·s4 | 誘電率 |
| 逆ファラド（ダラフ） | F−1 | kg1·m2·A−2·s−4 | エラスタンス |
| ボルト毎メートル | V/m | kg·m·s−3·A−1 | 電場（電界）の強さ |
| クーロン毎平方メートル | C/m2 | C/m2= m−2·A·s | 電束密度 |
| ジーメンス | S | Ω−1 = kg−1·m−2·s3·A2 | コンダクタンス・アドミタンス・サセプタンス |
| ジーメンス毎メートル | S/m | kg−1·m−3·s3·A2 | 電気伝導率（電気伝導度･導電率） |
| ウェーバ | Wb | V·s = kg·m2·s−2·A−1 | 磁束 |
| テスラ | T | Wb/m2 = kg·s−2·A−1 | 磁束密度 |
| アンペア（アンペア回数） | A | A | 起磁力 |
| アンペア毎メートル | A/m | m−1·A | 磁場（磁界）の強さ |
| アンペア毎ウェーバ | A/Wb | kg−1·m−2·s2·A2 | リラクタンス（磁気抵抗） |
| ヘンリー | H | Wb/A = V·s/A = kg·m2·s−2·A−2 | インダクタンス |
| ヘンリー毎メートル | H/m | kg·m·s−2·A−2 | 透磁率 |
| （無次元数） | χ | - | 磁気感受率 |
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最終更新 2009年11月2日 (月) 13:51 （日時は個人設定で未設定ならばUTC）。
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