DDR3 SDRAM

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DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。8ビットずつのプリフェッチ (prefetch) 機能（CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能）をそなえ、理論上DDR2 SDRAMの2倍のデータ転送速度を得られる。

DDR3 SDRAMのメモリにはチップ規格とモジュール規格の二つの規格が存在し、チップ規格はメモリの周波数、モジュール規格はメモリの転送速度を示している。また、動作電源電圧は、DDR SDRAMの2.5V/2.6V、DDR2 SDRAMの1.8Vに対しDDR3 SDRAMは1.5V動作となっており、より一層の消費電力の低減、低発熱が実現されている。

主にパーソナルコンピュータやサーバのメインメモリ用の規格として2005年に策定され、2007年から市場に出回り始めている。インテルでは2007年中頃にリリースされた4 Series チップセットから、AMDでは2009年第1四半期にリリースされたSocket AM3から、それぞれDDR3 SDRAMへの対応が始まっている。

発売当時はDDR2 SDRAMの値ごなれがかなり進んでおり、それとの価格差が大きかったため、当初DDR3専用となっていたインテルプラットフォーム用チップセットも、結局DDR2 SDRAMにも対応することとなった。現在はIntel Core i7の登場(メモリーコントローラ内蔵によりDDR3専用)や、AMDのSocket AM3の登場もあり、DDR3とDDR2の価格差は非常に小さくなっている。後継として、DDR4 SDRAMが予定されており、2011年ごろから市場に出回ると予想されている。

なお、VRAM用のGDDR3と混同されやすいが別の規格であり、互換性はない。

[編集] 規格

DDR3 SDRAMの規格として以下が定義されている。

チップ規格	モジュール規格	メモリクロック (MHz)	バスクロック (MHz)	転送速度 (GB/秒)
DDR3-800	PC3-6400	100	400	6.400
DDR3-1066	PC3-8500	133	533	8.533
DDR3-1333	PC3-10600	166	667	10.667
DDR3-1600	PC3-12800	200	800	12.800
DDR3-1800	PC3-14400	225	900	14.400
DDR3-2000	PC3-16000	250	1000	16.000
DDR3-2133	PC3-17066	266	1066	17.067

[編集] DDR3 SDRAMの持つピン名称と機能の説明

以下にDDR3 SDRAMで用いられる78ボールFBGA (x4/x8) , 96ボールFBGA (x16) パッケージのピンレイアウトの例を示す。RAS#やCAS#など#が記載してあるピンは負論理で動作する。

78/108 ball FBGAパッケージのトップビューピンレイアウト(左からx4/x8/x16デバイス)

それぞれのピンの機能について説明する。

CK,CK#: クロック信号 (Clock)。DDR3 SDRAMが動作する基準となるタイミング決定を行う差動クロックを入力する。CKの上がりエッジとCK#の下がりエッジの交点を基準にアドレスやコマンドを受け取り、CKとCK#の交点を基準にデータ出力を行う。
CKE: クロックイネーブル信号 (Clock Enable)。デバイスの入出力信号に対してクロックが有効か無効かを決定する。CKE入力がハイでクロックを有効、ローでクロックを無効になる。プリチャージパワーダウン (Precharge Power Down),セルフリフレッシュ (Self Refresh) またはアクティブパワーダウン (Active Power Down) 時にはCKEをローにする。
CS#: チップセレクト信号 (Chip Select)。CS# ローでコマンド入力は有効、CS#がハイでコマンド入力は無効。ただし動作中のコマンドはCS#をハイにしても継続する。
ODT: オンダイターミネーション信号 (On Die Termination:ODT)。ODTがハイで内蔵する終端抵抗が有効になる。ODTはDQ, DQS, DQS#, DMTDQS# NUDQS#のみ供給され、それ以外の入力ピン (CKE, CS#, RAS#, CAS#, WE#, ODT, RESET#, BA0-BA2 A0-A13) には供給されない。
RAS#,CAS#,WE#: ロウアドレスストローブ信号 (Row Address Strobe:RAS), カラムアドレスストローブ信号 (Column Address Strobe:CAS), およびライトイネーブル信号(Write Enable:WE)。DDR3 SDRAMの動作を決定するコマンドを入力する(後述のコマンド一覧参照)。
DM(DMU DML): データマスク信号 (Data Mask:DM)。ライト動作時にデータ入力をマスクする。ライト時にハイのときデータはメモリに書き込まれる。x8デバイスでTDQSを有効にした場合、TDQSとして動作する (DMは無効)。
BA0-BA2: バンクアドレス信号 (Bank Address)。アクティブコマンド (Active) 時にリード/ライトするバンクを選択する。モードレジスタ (Mode Register) の種類 (MR0～MR3) を選択するためにも利用される。
A0-A13: アドレス信号 (Address)。メモリアレイの読み書きしたいセル位置を特定するアドレスを入力する。アクティブコマンド入力時にロウアドレス、リード/ライトコマンド入力時にバースト動作の先頭カラムアドレスを選択する。モードレジスタ設定にも用いられる。
A10/AP: オートプリチャージ信号 (Auto Precharge)。リード/ライトコマンド時に指定するカラムアドレスはA0-A9,A11,A13で指定する。そのためリード/ライトコマンド入力時のA10はアドレス入力に使わない。代わりにA10はリード/ライト後にアクセスしているバンクに対してオートプリチャージを行うか(A10をハイ)、行わないか(A10 ロー)を指定するために用いられる。またプリチャージコマンド入力時にA10はプリチャージの対象バンクの選択に用いられる。A10 ローのときプリチャージはバンク一つに対してのみ行い、A10をハイのときプリチャージは全てのバンクに対して行われる。プリチャージの対象バンクはバンクアドレスで選択する。
A12/BC#: バーストチョップ (Burst Chop:BC) 信号。リード/ライトコマンド入力時バースト動作を4データ分で中断する（バーストチョップする）か (A12 ロー)、行わないか (A12をハイ) を選択する。
RESET#: リセット信号 (RESET)。リセットピンにローを入力するといつでもデバイスはリセット動作を行う。リセットピンがハイのときは何も行わない。通常動作中はリセットピンは安定してハイを維持する必要がある。リセットピンはCMOSレールトゥレール (Rail to Rail:ハイ/ローの電圧幅いっぱいに振る信号) で電源電圧VDDとグランド電圧VSSに対して80%でハイ、20%でローとなる。例えばVDDが1.5Vの場合は1.2Vでハイ、0.3Vでローとなる。
DQ: データ信号。データの入出力を行う。
DQS DQS#: データストローブ信号 (Data Strobe)。データのリード/ライトのタイミングを指定する差動ストローブ信号。ライト時、DQSとDQS#の交点をデータウインドウの中心を打ち抜くタイミングで信号を入力する。リード時、DQS、DQS#のエッジはデータエッジと揃う。
TDQS TDQS#: ターミネーションデータストローブ (Termination Data Strobe)。x8 DRAMのみ有効。モードレジスタ (Mode Register) MR1でTDQS機能を有効にした場合、TDQS/TDQS#はDQS/DQS#に対する終端抵抗を提供する。TDQS機能が無効の場合、TDQSはデータマスクとして動作する。TDQS#は使用されない。
NC: 未接続 (Non Connection)。
VDD: 電源供給。
VSS: グランド。
VDDQ: DQ用の電源供給。
VSSQ: DQ用のグランド。
VREFDQ: DQ用参照電圧(Vref)供給。
VREFCA: コマンド・アドレス用参照電圧 (Vref) 供給。
ZQ: ZQキャリブレーション (ZQ Calibration) 用参照電圧 (Vref) 供給。ZQピンは外部抵抗RZQ (240Ω±1%) を介してGNDに接続する。

[編集] コマンドとオペレーション

ここではデバイスの制御方法とコマンドについて解説する。まずコマンドの一覧を示す。コマンドは全てCKの上がりエッジとCK#の下がりエッジの交点を基準としたタイミングで与えられるハイ (H) またはロー (L) を意味する。ただしRESET#以外のピンのハイまたはローはVrefCAを基準とする。

コマンド一覧表
機能	略称	CKE		CS#	RAS#	CAS#	WE#	BA2 - BA0	A15 - A13	A12 / BC#	A10 / AP	A11 A9 - A0
機能	略称	前サイクル	現サイクル	CS#	RAS#	CAS#	WE#	BA2 - BA0	A15 - A13	A12 / BC#	A10 / AP	A11 A9 - A0
モードレジスタセット (Mode Register Set)	MRS	H	H	L	L	L	L	0	MR0コード
								1	MR1コード
								2	MR2コード
								3	MR3コード
リフレッシュ (Refresh)	REF	H	H	L	L	L	H	V	V	V	V	V
セルフリフレッシュエントリ (Self Refresh Entry)	SRE	H	L	L	L	L	H	V	V	V	V	V
セルフリフレッシュイグジット (Self Refresh Exit)	SRX	L	H	H	V	V	V	V	V	V	V	V
セルフリフレッシュイグジット (Self Refresh Exit)	SRX	L	H	L	H	H	H	V	V	V	V	V
プリチャージ (Precharge)	PRE	H	H	L	L	H	L	BA	V	V	L	V
全バンクプリチャージ (Precharge All bank)	PREA	H	H	L	L	H	L	V	V	V	H	V
バンクアクティブ (Bank Activate)	ACT	H	H	L	L	H	H	BA	RA
ライト (BL8/BL4:固定)	WR	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	V	L	CA
ライト (BL4:動的に指定)	WRS4	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	L	L	CA
ライト (BL8:動的に指定)	WRS8	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	H	L	CA
ライトオートプリチャージ (Write Auto Precharge) (BL8/BL4:固定)	WRA	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	V	H	CA
ライトオートプリチャージ (BL4:動的に指定)	WRAS4	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	L	H	CA
ライトオートプリチャージ (BL8:動的に指定)	WRAS8	H	H	L	H	L	L	BA	RFU	H	H	CA
リード (BL8/BL4:固定)	RD	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	V	L	CA
リード (BL4:動的に指定)	RDS4	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	L	L	CA
リード (BL8:動的に指定)	RDS8	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	H	L	CA
リードオートプリチャージ (Read Auto Precharge) (BL8/BL4:固定)	RDA	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	V	H	CA
リードオートプリチャージ (BL4:動的に指定)	RDAS4	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	L	H	CA
リードオートプリチャージ (BL8:動的に指定)	RDAS8	H	H	L	H	L	H	BA	RFU	H	H	CA
ノーオペレーション (No Operation)	NOP	H	H	L	H	H	H	V	V	V	V	V
デバイスディセレクト (Device Deselect)	DES	H	H	H	X	X	X	X	X	X	X	X
ZQキャリブレーションロング (ZQ calibration Long)	ZQCL	H	H	L	H	H	L	V	V	V	H	V
ZQキャリブレーションショート (ZQ calibration Short)	ZQCS	H	H	L	H	H	L	V	V	V	L	V
パワーダウンエントリ (Power Down Entry)	PDE	H	L	L	H	H	H	V	V	V	V	V
パワーダウンエントリ (Power Down Entry)	PDE	H	L	H	V	V	V	V	V	V	V	V
パワーダウンイグジット (Power Down Exit)	PDX	L	H	L	H	H	H	V	V	V	V	V
パワーダウンイグジット (Power Down Exit)	PDX	L	H	H	V	V	V	V	V	V	V	V

表中のVまたはXはハイまたはローを意味する。Xはフローティングでもかまわない。BAはバンクアドレス (Bank Address)、RAはロウアドレス (Row Address)、CAはカラムアドレス (Column Address)、RFUは予備 (Reserve for Future Use)。

[編集] 状態遷移図

以下にDDR3 SDRAMの状態遷移図を示す。

状態遷移図

[編集] リセットと初期化

ここではリセットピンとデバイスの電源投入時の初期化手順を説明する。

[編集] リセットピンについて

リセットピンはDDR3 SDRAMで採用されたリセット用の信号入力ピンである。他の信号はVref（参照電圧）と比較してハイ/ローを決定するため振幅が小さくてもデバイスは信号として受け取るのに対してリセットピンはCMOSレールトゥレール (Rail to Rail) で動作する。レールトゥレールとはハイ/ローの電圧幅いっぱいに振る信号を意味する。DDR3 SDRAMのリセットピンは電源電圧VDDとグランド電圧VSSに対して80%でハイ、20%でローとなる。例えばVDDが1.5Vの場合は1.2Vでハイ、0.3Vでローとなる。これはリセットピンが微小な変化に対して敏感である必要はなく、むしろノイズなどの小さな電圧変化に伴う誤動作を避ける目的がある。

またリセットピンは誤動作を避けるためにローパスフィルタ（電圧変動の高周波成分を除去する装置）の内蔵が推奨されている。リセットはメモリセルアレイの内容を破壊するかもしれない。

[編集] 電源投入と初期化手順

電源投入後、リセットを投入（リセットピンの電圧を0.2×VDD以下にし最低200us以上維持）する。次にCKEをローに落とし、最低10ns以上経過後リセットを解除（RESET#電圧を0.8×VDD以上に復帰）する。
リセットを解除してから500us以上、CKEをローに保たなければならない。
CKEをハイにする10nsまたは5サイクル以上前にクロックをスタートさせる必要がある。この間コマンドはノーオペレーション (No Operation:NOP) またはデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) でなければならない。CKEをハイにしてから初期化が完了するまでの間、CKEはハイを保持しなければならない。
CKEをハイにしてからtXPR (Reset CKE Exit Time) 経過後にMRSコマンドを投入する。
MRSコマンドはMR2, MR3, MR1, MR0の順で投入する。MRSコマンドとMRSコマンドの間はtMRD以上の間隔を開けなければならない。MR1でDLLを有効にしMR0でDLLリセットを行う。
ZQキャリブレーションロング (ZQ Calibration Long:ZQCL) コマンドでZQ補正を開始する。DLLリセット中でもZQキャリブレーションは可能なので、ZQCL投入はMR1コマンド入力後tDLLKを待つ必要はないがtMODを待つ必要がある。
DLLリセット/ZQキャリブレーションの完了のためtDLLK/tZQin待って初期化は終了する。tDLLK/tZQinはそれぞれ512サイクル。

リセットと初期化シーケンス

[編集] モードレジスタセット (Mode Register Set:MRS) の書き込み手順

DDR3 SDRAMでは各種modeやパラメタ設定のため4つのモードレジスタセットを用意している。各MRSにはデフォルトを設定してないので電源投入直後や、リセット・初期化時は、全てのMRSを設定しなければならない。MRSコマンドやDLLリセットはメモリセルアレイに格納されているデータへ何も影響しない。

MRSコマンドの書き込みにはtMRDサイクルを必要とするため、次のMRSコマンド入力は最低tMRD空けて実行しなければならない。またDLLリセット以外のMRSコマンドは完了までにtMODサイクルを必要とするため、MRSとノーオペレーション (No Operation:NOP) やデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) を除くコマンドの入力は最低tMODサイクル待たなければならない。DRAMがアイドル状態のときはいつでもMRSの内容を書き換えることができる。

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能

以下ではモードレジスタMR0で設定できるモードとその説明を行う。MR0は以下のフォーマットで設定する。

モードレジスタ (MR0)
BA2	BA1	BA0	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
0	0	0	0	0	0	PPD	WR			DLL	TM	CL			BT	CL	BL

BL: バースト長 (Burst Length:BL)
CL: CASレイテンシ (CAS Latency:CL)
BT: バーストタイプ (Burst Type:BT)
TM: テストモード (Test Mode:TM)
DLL: DLLリセット (DLL Reset)
WR: ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge:WR)
PPD: プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL control for Precharge Power Down:PPD)

[編集] バースト長 (Burst Length:BL)・バーストタイプ (Burst Type:BT)

バースト長 (Burst Length:BL)
A1	A0	BL
0	0	8 (固定)
0	1	4 or 8 (動的に指定)
1	0	4 (固定)
1	1	Reserved

バーストタイプ (Burst Type:BT)
A3	バーストタイプ
0	4ビットシーケンシャル (Nibble Sequential)
1	インタリーブ (Interleave)

バースト長、開始アドレス、およびバーストタイプでバースト中にアクセスするアドレス順は下表の通り。MR0:A1=0 A0=1時リード/ライトコマンド入力時のA12/BC#でBL8またはBC4 (バーストチョップ:Burst Chop) を選択できる。

バーストタイプとバースト動作中にアクセスするアドレス
バースト長	リードライト	開始アドレス	バーストタイプ
バースト長	リードライト	開始アドレス	シーケンシャル	インタリーブ
4バーストチョップ	リード	0	0,1,2,3,T,T,T,T	0,1,2,3,T,T,T,T
		1	1,2,3,0,T,T,T,T	1,0,3,2,T,T,T,T
		2	2,3,0,1,T,T,T,T	2,3,0,1,T,T,T,T
		3	3,0,1,2,T,T,T,T	3,2,1,0,T,T,T,T
		4	4,5,6,7,T,T,T,T	4,5,6,7,T,T,T,T
		5	5,6,7,4,T,T,T,T	5,4,7,6,T,T,T,T
		6	6,7,4,5,T,T,T,T	6,7,4,5,T,T,T,T
		7	7,4,5,6,T,T,T,T	7,6,5,4,T,T,T,T
	ライト	0～3	0,1,2,3,X,X,X,X	0,1,2,3,X,X,X,X
	ライト	4～7	4,5,6,7,X,X,X,X	4,5,6,7,X,X,X,X
8	リード	0	0,1,2,3,4,5,6,7	0,1,2,3,4,5,6,7
		1	1,2,3,0,5,6,7,4	1,0,3,2,5,4,7,6
		2	2,3,0,1,6,7,4,5	2,3,0,1,6,7,4,5
		3	3,0,1,2,7,4,5,6	3,2,1,0,7,6,5,4
		4	4,5,6,7,0,1,2,3	4,5,6,7,0,1,2,3
		5	5,6,7,4,1,2,3,0	5,4,7,6,1,0,3,2
		6	6,7,4,5,2,3,0,1	6,7,4,5,2,3,0,1
		7	7,4,5,6,3,0,1,2	7,6,5,4,3,2,1,0
	ライト	0～7	0,1,2,3,4,5,6,7	0,1,2,3,4,5,6,7

バースト長にBL4固定を指定した場合、メモリデバイス内部では入出力バッファからメモリセルアレイに対する書き込み動作をBL8を指定した場合よりも2サイクル早く開始する。これはtWRとtWTRの開始位置が2サイクル短くなることを意味している。ただしBL8/BC4を動的に決定するモードを選択した場合、常にBL8と同じサイクルでライト動作を開始しなければならない。T: DQおよびDQSの出力ドライバはHi-Z。X: Don't care。

リード動作やライト動作を繰り返して行う場合、CASを再びローに落とせる様になるまでのサイクル数の下限であるtCCDが4であるため、BC4であっても続くリード/ライトコマンドの入力はBL8と同じサイクル数後になる。つまりBC4を選択しても空いたサイクルに別のデータを詰めてリード/ライト動作を継続できるわけではない。このためリード/ライト動作を継続する場合はバーストチョップを使用するメリットはない。しかしリード→ライト時や、ライト→リード時、ライト→プリチャージ (Precharge) 時にバーストチョップを行うことでBL8を利用する場合に比べてサイクル数を減らせる場合がある。詳細は後述のタイミングチャートを参照。

[編集] CASレイテンシ (CAS Latency:CL)

CASレイテンシ
A6	A5	A4	CAS レイテンシ
0	0	0	Reserved
0	0	1	5
0	1	0	6
0	1	1	7
1	0	0	8
1	0	1	9
1	1	0	10
1	1	1	11 (Reserve)

CASレイテンシはリードコマンドが有効になってから実際にデータが出力されるまでの遅延サイクル数を指す。リードコマンドを入力してからデータが出てくるまでの遅延サイクルであるリードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) とCLの和になる。CASレイテンシはデバイススペックや実動作速度で設定できる値が異なる。詳しくは各デバイスのスペックシートを参照すること。

[編集] テストモード (Test Mode:TM)

テストモード
A7	テストモード
0	通常動作
1	テストモード使用

テストモードはデバイス生産時にのみ使用されるテスト用のモードである。通常は使用してはならない。テストモードでデバイスがどのように動作するかは未定義。おそらくデバイスメーカによってテストモードの動作は異なる。

[編集] DLLリセット (DLL Reset)

DLLリセット
A8	DLLリセット
0	DLLをリセットしない
1	DLLをリセットする

DLLリセットはデバイス内部のDLL (Delay Locked Loop) 回路のリセットを指定する。DLL回路とは時間の経過と共に環境の変化（電源電圧や温度など）や内的原因（メモリデバイス内で行う処理や内部クロック自身の持つ誤差）に起因して外部クロックと内部クロックの間に発生する誤差を補正しタイミングを一定に保つための回路。外部クロックと内部クロックの信号を継続的に比較する位相検出器で構成されている。信号間に位相差を検出した場合、調整回路(遅延回路)に制御情報をフィードバックする。DLLをリセットすることでDLL回路は外部クロックをロックすることができる。DLLリセットは外部クロックと内部クロックの同期のためにtDLLKサイクルを必要とする。tDLLKの区間、CKEはハイでなければならない。DLLを使用する場合、DLLを有効にしてからDLLをリセットする必要がある。DLLをリセットしてからtDLLK後にDLLが使用可能になる。DLLリセットはDLL回路のリセット完了後自動的に通常状態に戻るのでDLLリセット完了後に明示的にMR0:A8=0を再設定する必要はない。

[編集] ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge)

ライトリカバリ
A11	A10	A9	ライトリカバリサイクル数(WR)
0	0	0	Reserved
0	0	1	5
0	1	0	6
0	1	1	7
1	0	0	8
1	0	1	10
1	1	0	12
1	1	1	Reserved

ライトリカバリサイクル数 (WR) はリカバリオートプリチャージ (Recovery Auto Precharge) 時間の計算式 (tDAL=WR+tRP/tCK) に用いられるサイクル数。tRPはプリチャージコマンドサイクル数。最小ライトリカバリサイクル数 (WRmin) はtWR/tCKで求める（小数点以下は切り上げ）。tWRはスペックシートに規定されているライトリカバリタイム、tCKは1サイクルタイム。設定するWRはWRmin以上の値を設定する。

[編集] プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down)

プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール
A12	DLLコントロールモード
0	スローイグジット (DLLオフ)
1	ファストイグジット (DLLオン)

プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down) はプリチャージパワーダウン時にDLLを保持するかどうかを指定する。スローイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後に電流消費量を抑えるためにDLLを解除する。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックが必要となりデバイスに対してコマンド入力が有効になるまでにtXPDLLを要する。ファストイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後にも維持される。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックは不要であるためtXP後にデバイスに対してコマンド入力が有効になる。

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能

以下ではモードレジスタMR1で設定できるモードとその説明を行う。MR1は以下のフォーマットで設定する。

モードレジスタ (MR1)
BA2	BA1	BA0	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
0	0	1	0	0	0	Qoff	TDQS	0	RTT_Nom	0	Level	RTT_Nom	DIC	AL		RTT_Nom	DIC	DLL

DLL: DLLイネーブル (DLL enable)
DIC: 出力ドライバインピーダンスコントロール (Output Driver Impedance Control)
RTT_Nom: 通常時の終端抵抗 (RTT Nominal)
AL: アディティブレイテンシ (Additive Latency)
Level: ライトレベリングイネーブル (Write Leveling enable)
TDQS: ターミネーションDQSイネーブル (Termination DQS Enable:TDQS)
Qoff: 出力禁止

[編集] DLLイネーブル (DLL Enable)

DLLイネーブル
A0	DLLイネーブル
0	DLLを有効にする (Enable)
1	DLLを無効にする (Disable)

DLLを有効にするか (Enable) 無効にするか (Disable) を指定する。DLLとはDelay Locked Loopの略で外部クロックと内部クロックのタイミング補正に使用される回路である。通常、動作時は常にDLLは有効にしておかなければならない。電源投入後の初期化時や、DLL無効後に通常動作に復帰するときにDLLイネーブルを設定する必要がある。DLLはセルフリフレッシュ開始時に自動的に無効となりセルフリフレッシュ終了時に自動的に有効になる。MR1でDLLを有効にした場合は、続いてMR0でDLLのリセットを行わなければならない。

DLLを無効にした場合、ダイナミックODTは使用できない。DLLが無効の間はODTの入力をローにするか、またはMR1:A9,A6,A2 (RTT_Nom) を0にしなければならない。またMR2:A10,A9 (RTT_WR) =0にしてダイナミックODTも無効にしておかなければならない。

[編集] 出力ドライバインピーダンスコントロール (Output Driver Impedance Control:DIC)

出力インピーダンスコントロール
A5	A1	出力インピーダンス値
0	0	Reserved for RZQ/6
0	1	RZQ/7
1	0	RZQ/TBD
1	1	RZQ/TBD

出力ドライバインピーダンスを指定する。RZQ=240Ω。データピンの出力ドライバは240Ωの抵抗をプルアップ・プルダウン用に7個ずつ持っている。この抵抗の一部あるいは全部を有効・無効にすることで出力インピーダンスを調整する。この出力抵抗回路はRTT_Nom/RTT_WRで指定する終端抵抗と共有している。

[編集] 通常時の終端抵抗指定値 (RTT_Nom)

オンダイターミネーションの抵抗値
A9	A6	A2	RTT_Nom
0	0	0	ODT disabled
0	0	1	RZQ/4
0	1	0	RZQ/2
0	1	1	RZQ/6
1	0	0	RZQ/12
1	0	1	RZQ/8
1	1	0	Reserved
1	1	1	Reserved

RTT_NomとRTT_WRを個別に制御できる。MR1でRTT_Nomを指定する。RZQ=240Ω。

[編集] アディティブレイテンシ (Additive Latency:AL)

アディティブレイテンシ
A4	A3	アディティブレイテンシ
0	0	0 (AL disabled)
0	1	CL-1
1	0	CL-2
1	1	Reserved

アディティブレイテンシを利用することでデータバスを効率的に活用できるようになる。アクティブコマンドからリード/ライトコマンドの入力が可能になるまでにtRCD時間が必要である。このtRCDのためにリード/ライトコマンドと別のバンクに対するアクティブコマンドの競合が発生することがある。この競合を避けるために別のバンクに対するアクティブコマンドの入力が1サイクル遅らせると、データを連続的にリード/ライトできないサイクルが発生する。このようなサイクルをバブル (bubble) と言う。バブルが発生するとデータバスに無駄な空きが生じ、データ転送効率が低下する。そこでDDR2 SDRAMからポステッドCAS (Posted CAS) が採用された。ポステッドCASとはtRCD期間中の任意のタイミングに次のリード/ライトコマンドを入力できるようにする機能である。入力したリード/ライトコマンドはデバイス内部で保持され一定期間後に有効となる。この一定期間をアディティブレイテンシと言う。ポステッドCASを活用することで効率的なコマンド入力が可能になりデータ転送効率が向上する。

ライトコマンドから実際にデータの書き込まれるまでのサイクル数＝ライトレイテンシ(Write Latency:WL)はアディティブレイテンシ (AL) とCASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL) の和 (WL=CWL+AL)、リードコマンドから実際にデータが読み出されるまでのサイクル数＝リードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (AL) とCASレイテンシ (CAS Latency:CL) の和になる(RL=CL+AL)。

DDR2 SDRAMではAL=0～4が選択可能であったが、DDR3 SDRAMではAL=0,CL-1,CL-2が選択可能である。

そこでDDR2 SDRAM/DDR3 SDRAMではポステッドCASが採用された。ポステッドCASとはtRCD期間中の任意のタイミングに次のリード/ライトコマンドを入力できるようにする機能で、入力したリード/ライトコマンドはデバイス内部で保持されたままアディティブレイテンシ後に有効となる。ポステッドCASを活用することで効率的なコマンド入力が可能になりデータ転送効率が向上する。

アディティブレイテンシとポステッドCASが有効になる場合の例

[編集] ライトレベリング (Write Leveling)

ライトレベリング
A7	ライトレベリングイネーブル
0	ライトレベリングを使用しない (Disable)
1	ライトレベリングを使用する (Enabled)

ライトレベリングを設定するとデバイスはライトレベリングモードに突入する。ライトレベリングモード時、デバイスはDQSの上がりエッジでサンプリングしたクロックの値をDQピンから出力する。

DDR3のメモリモジュールでは波形品質の向上のために、コマンドやアドレス、クロックを各デバイスを各ピン一つのラインで数珠繋ぎ（デイジーチェイン）でつなぐフライバイ構造 (Fly-by) を用いる。従来のメモリモジュールはクロックをトーナメント方式で分岐して各デバイスに同一タイミングで入力するように調整していた。このためメモリデバイス・コントローラはクロックとコマンド・アドレス・データのタイミングがずれることを考慮する必要がなかった反面、データ転送が高速化するにつれて等長配線への要求が厳しくなるとともに等長配線のための引き回しが配線長を伸張し波形品質の劣化を招いた。そこでデバイスを最短距離で数珠繋ぎに接続するフライバイ構造の提案がなされた。

メモリモジュールにおける分岐構造 (Forked) とフライバイ構造の違い

フライバイ構造によって波形品質の向上とDIMM内の配線の短縮が可能になるが、反面クロックがDIMM内の各DRAMに伝播する時間に差が生じ、クロックとDQSの位相差が発生する。そこでメモリコントローラはDQS入力タイミングをクロックの伝播遅延にあわせて遅らせるという処理が必要になる。ライトレベリングはこの遅延量の決定のために必要となる機能である。

ライトレベリングとはDDR3 SDRAMからの簡易なフィードバックによってメモリコントローラがクロックとDQSの位相補正を行う機能のことを言う。 DDR3 SDRAMはDQSの上がりエッジでクロックをサンプルした結果をDQピンからメモリコントローラに返す。このフィードバックは非同期で行われる。メモリコントローラはDQSのタイミングを変更しながら、この値が0から1に変化するタイミングを検出する。この位相差はDQピンにも同時にフィードバックしなければならない。DQS,DQS#,DQピンは全てコントローラで終端する。x16デバイスでは上位8ビットと下位8ビットは独立しておりそれぞれ別々に制御する。

ライトレベリングを行いデータ到達タイミングを補正する

[編集] 出力禁止 (Output Buffer Disable:Qoff)

出力禁止
A12	Qoff
0	出力を禁止しない
1	出力を禁止する

出力禁止(Qoff)を設定するとデバイスの出力ピン (DQ, DQS DQS#) は何も接続しない状態(Hi-Z)になる。

[編集] ターミネーションDQSイネーブル (Termination DQS Enable:TDQS)

TDQSイネーブル
A11	TDQS	DM/TDQSピン	NU/TDQS#ピン
0	TDQSを使用しない(Disable)	データマスク (DM) として動作	Hi-Z状態
1	TDQSを使用する(Enable)	TDQSとして動作	TDQS#として動作

TDQS, TDQS#ピンはx8デバイスで構成されているDIMMモジュールとx4デバイスで構成されているDIMMモジュールが混在するようなシステムでx4デバイスのDQS,DQS#をx8デバイスのTDQS/TDQS#で終端し反射を抑制することで波形品質を維持するために付けられたピンである。大規模なシステムで複数の種類のモジュールの混在を許容することでシステムの柔軟性を高めるのに役立つ。

TDQSはx8デバイスのみ有効にすることが可能で、x4/x16デバイスでは有効にすることができない。TDQS/TDQS#の終端抵抗値はDQS/DQS#と等しい。DDR2 SDRAMにおけるRDQSと近い機能でRDQSはデータ出力時にデータストローブ信号を出力するのに対して、TDQSは終端抵抗だけを提供する。

TDQSとデータマスク (Data Mask:DM) は同じピンを使うため、TDQSを使用する場合はDMは使用できない。TDQSを使用しない場合のみはDMを使用可能となる。TDQSを使用しない場合、TDQS#ピンは使われない。

x8 DIMMモジュールと x4 DIMMモジュールが混在する場合はTDQSを使用する

[編集] モードレジスタ (Mode Register)MR2と設定できる機能

モードレジスタ(MR2)
BA2	BA1	BA0	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
0	1	0	0	0	0	0	0	RTT_WR		0	SRF	ASR	CWL			PASR

PASR: パーシャルアレイセルフリフレッシュ (Partial Array Self Refresh:PASR) - オプション機能
CWL: CASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL)
ASR: オートセルフリフレッシュ (Auto Self Refresh:ASR)
SRF: セルフリフレッシュテンプラチャ (Self-refresh temperature range:SRT)
RTT_WR: ライト時の終端抵抗 (RTT Write)

[編集] パーシャルアレイセルフリフレッシュ (Partial Array Self Refresh:PASR) - オプション機能

パーシャルアレイセルフリフレッシュ
A2	A1	A0	パーシャルアレイセルフリフレッシュ
0	0	0	全アレイ
0	0	1	1/2アレイ (BA0～BA2:0,1,2,3 ) 000,001,010, &011)
0	1	0	1/4アレイ (BA0～BA2:0,1 )
0	1	1	1/8アレイ (BA0～BA2:0 )
1	0	0	3/4アレイ (BA0～BA2: 2,3,4,5,6,7)
1	0	1	1/2アレイ (BA0～BA2: 4,5,6,7)
1	1	0	1/4アレイ (BA0～BA2: 6,7)
1	1	1	1/8アレイ (BA0～BA2: 7)

オプション機能なのでデータシートを確認すること。PASRはデバイスの一部のバンクだけをセルフリフレッシュの対象にする機能。必要なバンクだけリフレッシュするため全体をリフレッシュする場合よりも消費電力を抑えられる。PASRが有効の場合、指定された領域のメモリがセルフリフレッシュの対象となる(対象外の領域のデータは失われる場合がある)

[編集] CASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL)

CASライトレイテンシ
A5	A4	A3	CASライトレイテンシ
0	0	0	5 ( tCK≧2.500ns)
0	0	1	6 (2.500ns>tCK≧1.875ns)
0	1	0	7 (1.875ns>tCK≧1.500ns)
0	1	1	8 (1.500ns>tCK≧1.250ns)
1	0	0	Reserved
1	0	1	Reserved
1	1	0	Reserved
1	1	1	Reserved

CASライトレイテンシ (CAS write latency:CWL) は内部ライトコマンドから実際にデータの書き込み準備が完了し最初のデータ書き込みが始まるまでの遅延サイクル数を表す。

DDR2 SDRAMでライトレイテンシ (Write Latency:WL) はリードレイテンシ (Read Latency:RL) で与えられる計算式WL=RL-1で自動的に決定する。ただしリードレイテンシはCASレイテンシ (CAS Latency:CL) とアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) の和 (RL=CL+AL)。DDR3 SDRAMではDDR2 SDRAMと異なりWLは新たに定義されたCASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL) とALで与えられる計算式WL=AL+CWLで決定する。CWLはモードレジスタMR2で5～8の値を指定する。

[編集] オートセルフリフレッシュ (Auto Self Refresh Method:ASR) とセルフリフレッシュテンプラチャ (Self-Refresh Temperature Range:SRT)

オートセルフリフレッシュ
A6	オートセルフリフレッシュ
0	オートセルフリフレッシュを使用しない
1	オートセルフリフレッシュを使用する - オプション機能

セルフリフレッシュテンプラチャ
A7	セルフリフレッシュテンプラチャ
0	通常温度範囲でセルフリフレッシュを行う
1	拡張温度範囲でセルフリフレッシュを行う - オプション機能

オプション機能なのでデータシートを確認すること。DDR3 SDRAMは動作保証温度範囲内 (TOPER:0～95℃) においてセルフリフレッシュの動作を保証しているが、より広範な温度帯域でセルフリフレッシュ動作を期待する場合がある。そのような場合、ASR機能かSRTを使用しなければならない。

動作保証温度範囲ではオートセルフリフレッシュかオートセルフのいずれかを有効にしなければならない。動作保証温度範囲を超える場合、セルフリフレッシュテンプラチャを有効にする。

[編集] ライト時の終端抵抗 (RTT_WR)

ライト時の終端抵抗 (RTT_WR)
A10	A9	RTT_WR
0	0	ダイナミックODT (Dynamic ODT) オフ
0	1	RZQ/4
1	0	RZQ/2
1	1	Reserved

RTT_WRに0以外を設定することでダイナミックODTが有効になる。データバスの波形品質を向上させるためにDDR3 SDRAMにライト時の終端抵抗値を動的に変更する機能ダイナミックODTが加えられた。ただしライトレベリング (Write Leveling) 時はRTT_Nomだけが有効。RZQ=240Ω。

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR3と設定できる機能

モードレジスタ (MR3)
BA2	BA1	BA0	A15	A14	A13	A12	A11	A10	A9	A8	A7	A6	A5	A4	A3	A2	A1	A0
0	1	1	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	ODTS	MPR	MPR Loc

ODTS: オンダイサーマルセンサ (On Die Thermal Sensor:ODTS) - オプション機能
MPR: マルチパーパスレジスタ (Multi-Purpose Register:MPR)
MPR Loc: マルチパーパスレジスタロケーション (Multi-Purpose Register location:MPR Loc)

[編集] マルチパーパスレジスタ (Multi-Purpose Register:MPR) - リードレベリング (Read Leveling)

マルチパーパスレジスタロケーション (Multi-Purpose Register location:MPR Loc)
A1	A0	MPR Loc
0	0	定義済パターンの出力 (Predefined pattern)
0	1	Reserved
1	0	Reserved
1	1	Reserved

マルチパーパスレジスタ
A2	マルチパーパスレジスタ
0	通常動作
1	MPRからデータ出力

MPRはデータ読み出し時のタイミング補正のために用いられる。DDR3のメモリモジュールでは波形品質の向上のために、コマンドやアドレス、クロックを各デバイスを各ピン一つのラインで数珠繋ぎ（デイジーチェイン）でつなぐフライバイ (Fly-by) 構造を用いる。フライバイ構造によって波形品質の向上とDIMM内の配線の短縮が可能になるが、反面クロックがDIMM内の各DRAMに伝播する時間に差が生じ、データ出力タイミングが各デバイスごとに異なる。そこでメモリコントローラ内にデータを受け取るタイミング差を修正する遅延回路を設けて対応する。このとき各デバイスの遅延時間を見積もる操作をリードレベリング (Read Leveling) と呼ぶ。

MPRを有効にした後、リードコマンド (RDまたはRDA) を入力するとリードコマンドはメモリセルアレイではなくMPRに入力される。メモリセルアレイのデータの読み出しはMPRを無効にするまでできない。またMPRが有効であるとき、MRSコマンド、リードコマンド、リセット入力以外は無効である。

MPR読み出し動作中は1ビットの論理インタフェイスとなる。つまりDQ0 (DQU0/DQL0) はMPRからのデータを出力し、DQ0以外のピンはDQ0と同一データかもしくは0を出力する。DQS, DQS#からは通常のリードコマンド入力時と同様データストローブ信号を出力する。読み出し動作時のバースト長、バーストタイプ、リードレイテンシ(Read Latency)はMRSの設定に従い、バーストチョップ(Burst Chop:BC)はリードコマンド入力時のA12/BCに従う。リードコマンド入力時、A0～A1は0でなければならない。A12はバーストチョップの判断に用いられる。その他のアドレス入力は無視する。MR3:A1=0, A0=0のとき、MPRから常に0,1,0,1というデータが読み出される。

リードレベリングで各デバイスからのデータ出力タイミング差を見積もる

[編集] アクティブコマンド (Active:ACT)

アクティブコマンドはこれからアクセスするバンクアドレスをBA0-BA2、ロウアドレスをA0-A15で指定し開く（有効にする）。このロウアドレスはプリチャージコマンド (precharge) の入力でそのバンクがアイドルになるまで有効となる。他のロウアドレスを指定する場合、プリチャージコマンドを入力する必要がある。

[編集] プリチャージコマンド (Precharge:PRE,PREA)

プリチャージコマンドはアクティブコマンドで開いたバンク/ローアドレスを閉じる（ロウアドレスを無効にして保存する）。オートプリチャージを使っている場合を除き、プリチャージコマンドからtRP時間経過しなければ同一バンクをActiveすることができない。プリチャージコマンドを入力すると当該バンクはアイドル状態に復帰する。プリチャージコマンドはアクティブしていないバンクに対しても有効。

プリチャージコマンドは単一バンクを対象とするプリチャージコマンド (PRE) と全バンクを対象とするプリチャージオールコマンド (PREA) がある。プリチャージコマンドはA10をローにし、BA0-BA2で対象バンクを指定する。プリチャージオールコマンドはA10をハイにし、BA0-BA2は0にしておく。

[編集] リードコマンド

リードコマンドはデータを読み出すコマンド。メモリデバイスはアクティブコマンドで指定したバンクおよびロウアドレス、リードコマンドで指定したカラムアドレスからバースト長分だけデータを連続で出力する。データはリードコマンドからアディティブレーテンシ (AL) とCASレーテンシ (CL) の和 (AL+CL) のサイクル数分送れて出力される。データと同期してデータストローブ信号 (DQS) も出力する。DQSはデータの出始め前にtRPRE期間プリアンブル (Preamble)、データ終了時にtRPST期間のポストアンブル (Postamble) を出力する。

リード/ライトコマンドの入力時にA12/BC#で動的にバーストチョップ (Burst Chop:BC) の有無 (BC4/BL8) を切り替えることができる。リード作時のタイミングパラメタを以下に示す。

リード動作時のタイミングパラメタ定義

tDQSCKmax/tDQSCKminはCK/CK#の交点に対するDQS/DQS#の交点の許容される振れ幅に対する規定値
tDQSCKはCK/CK#の交点に対するDQS/DQS#の交点のタイミング
tQSHはDQSのハイ区間、tQSLはDQSのロー区間。
tLZ/tHZはCK/CK#の交点からDQS/DQが信号を出力を開始するまでの時間、およびHi-Zになるまでの時間
tDQSQはDQS/DQS#の交点から最も出力タイミングが遅いDQピンからデータが出始めるまでの時間
tQHははDQS/DQS#の交点から最も出力タイミングの早いDQピンからデータが出終わるまでの時間
有効データ区間はtQH-tDQSQと等しい。

ただしtLZ/tHZおよびtRPREの起点/TRPSTの終点はは下図で示すように計算する。

tLZ/tHZの計算方法とtRPRE/tRPSTの起点終点

以下にリードコマンドと他のコマンドを組合せたときのタイミングチャートを示す。

リード (BL8) ⇒リード (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしBL=8、AL=0、CL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。

DDR3 SDRAMではCAS#から次のCAS#までのタイミング制限tCCDは4サイクルである。そのためリードコマンドは4サイクルごとにしか入力できない。データの読み出しが連続する場合、1つ目のリードコマンドに対するポストアンブル (Postamble)、2つ目のリードコマンドに対するプリアンブル (Preamble) は消失し連続した読み出しの先頭にプリアンブル、最後にポストアンブルが現われる。

リード(BC4)⇒リード(BC4)を連続した場合のタイミングチャート

ただしBC4、CL=5、AL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。バーストチョップ (Burst Chop:BC4) を用いてリードデータを途中で停止しても続くリードコマンドをtCCDより短いタイミングで入力することはできない。そのため2つ目のリードコマンドに対応する読み出しは1つ目のリードコマンドがバーストチョップでなかった場合と等しい。

リード (BL8) ⇒ライト (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしBL8、CL=5、CL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。バーストチョップしないリードコマンドからライトコマンドには $RL+tCCD+2 \times tCK-WL$ 期間が必要になる。ただしRLはリードレイテンシ (Read Latency)、WLはライトレイテンシ (Write Latency)、tCCDはCAS#から次のCAS#までのタイミング制限、tCKは1サイクルの時間。図の例ではリードからライトの切り替わりに2サイクル ( $2 \times tCK$ ) の空き時間が発生する。

リード (BC4) ⇒ライト (BC4) を連続した場合のタイミングチャート

ただしBC4、CL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。バーストチョップしたリードコマンドからライトコマンドまでの期間は $RL+tCCD/2+2 \times tCK-WL$ に短縮される。このためtCCD/2サイクル早くライトコマンドを入力できる。

リード (BL8) ⇒リード (BC4) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。

リード (BC4) ⇒リード (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。先に読み出すデータに対してバーストチョップを行ってもtCCDは変わらない。そのため1つ目のリードコマンドに対応するデータの読み出しと2つ目のリードコマンドに対応するデータの読み出しの間に2サイクルデータの出力されない区間が発生する。このような場合、それぞれのデータの読み出し始めと終わりにプリアンブル・ポストアンブルが挿入される。

リード (BC4) ⇒ライト (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。バーストチョップしたリードコマンドからライトコマンドまでの期間はライトコマンドがバーストチョップかどうかに関係なく $RL+tCCD/2+2 \times tCK-WL$ に短縮される。このためtCCD/2サイクル早くライトコマンドを入力できる。

リード(BL8)⇒ライト(BC4)を連続した場合のタイミングチャート

ただしCL=5、AL=0、CWL=5、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータ、Din bはCol bに対応して書き込まれるデータである。リードコマンドからライトコマンドまでの期間は $RL+tCCD+2 \times tCK-WL$ である。これはライトコマンドがバーストチョップしていてもリードコマンドがバーストチョップされていなければ短縮されない。

[編集] ライトコマンド

ライトコマンドはデータを書き込むコマンド。メモリデバイスはアクティブコマンドで指定したバンクおよびロウアドレス、ライトコマンドで指定したカラムアドレスに対してバースト長分だけデータを連続で書き込む。データはライトコマンドからアディティブレーテンシ (AL) とCASライトレーテンシ (CWL) の和 (AL+CWL) のサイクル数分送れて書き込み可能になる。データの中央を打ち抜くタイミングでデータストローブ信号 (DQS) も入力しなければならない。DQSはデータの出始め前にtWPRE期間プリアンブル (Preamble)、データ終了時にtWPST期間のポストアンブル (Postamble) を入力しなければならない。リード/ライトコマンドの入力時にA12/BC#で動的にバーストチョップ (Burst Chop:BC) の有無 (BC4/BL8) を切り替えることができる。リード作時のタイミングパラメタを以下に示す。ライト動作時のタイミングパラメタを以下に示す。

ライト動作時のタイミングパラメタ定義

以下にライトコマンドと他のコマンドを組合せたときのタイミングチャートを示す。

ライト (BC4) ⇒プリチャージを連続した場合のタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。ライトからプリチャージコマンド入力可能になるまでのライトリカバリタイム (tWR) は書き込み終了を起点とするためバーストチョップ使用時はプリチャージコマンドを2サイクル早く入力することができる。

ライト (BL8) ⇒ライト (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしBL8、CWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。リードコマンド同様ライトコマンドも4サイクルごとにしか入力できない。データの書き込みが連続する場合、1つ目のライトコマンドに対するポストアンブル (Postamble)、2つ目のライトコマンドに対するプリアンブル (Preamble) は不要で連続した読み出しの先頭にプリアンブル、最後にポストアンブルを入力する。

ライト (BC4) ⇒ライト (BC4) を連続した場合のタイミングチャート

ただしBC4、CWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。リードコマンド同様ライトコマンドもバーストチョップを入れても二つのコマンドの間隔を縮めることは出来ない。データが連続しない場合、一つ目のデータと二つ目のデータのそれぞれの先頭にプリアンブル、末尾にポストアンブルを入れなければならない。

ライト (BL8) ⇒リード (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータ、Dout bはCol bに対応して読み出されるデータである。ライトコマンドに対応するデータ入力の終了からtWR後にリードコマンドを入力することができる。

ライト (BC4) ⇒リード (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータ、Dout bはCol bに対応して読み出されるデータである。 tWRの起点はバーストチョップしてもバーストチョップしなかったときと同一である。そのためライト動作でバーストチョップしてもリードサイクルは早まらない。

ライト (BL8) ⇒ライト (BC4) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。

ライト (BC4) ⇒ライト (BL8) を連続した場合のタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。先に書き込まれるデータに対してバーストチョップを行ってもtCCDは変わらない。そのため1つ目のライトコマンドに対応するデータの書き込みと2つ目のライトコマンドに対応するデータの書き込みの間に2サイクルデータの書き込めない区間が発生する。このような場合、それぞれのデータの書き込み始めと終わりにプリアンブル・ポストアンブルを挿入しなければならない。

次にライトコマンドとデータマスク (Data Mask:DM) との関係を示す。

ライト動作時、DMがハイのサイクルデータはデバイスに書き込まれない

DMはライト動作時にデータを書き込むか否かを示すマスクとして利用する。DMがローのときのデータのみデバイスに書き込まれ、ハイのときのデータはデバイスに書き込まれない。DMは書き込みデータとタイミングを同期させて入力する。DMはライト動作時にのみ有効でリード動作を含むほかの動作時にはどんな値も無効な入力になる。

[編集] セルフリフレッシュエントリ (Self Refresh Entry:SRE) コマンドとセルフリフレッシュイグジット (Self Refresh Exit:SRX) コマンド

DDR3 SDRAMでは省電力モード時などでもデバイスのデータの内容を保持するためにセルフリフレッシュモードを使える。セルフリフレッシュモードに入った場合、デバイスは外部クロックの入力無しでメモリデータの保持動作を行える。SREコマンドの入力でデバイスはセルフリフレッシュモードに入る。

SREコマンドはアイドル状態でなければ受け付けない。SREコマンド前にバンクプリチャージを行い、かつtRPが経過していなければならない。またODTをオフにしておかなければならない。ODTをオフにするはODTピンをローにするかMR1でODT無効にする。セルフリフレッシュ中はCKEはローに保たなければならない。セルフリフレッシュ開始時にDLLは一旦オフにされ、セルフリフレッシュ終了時にDLLは再度有効になる。

セルフリフレッシュモード中はCKEとRESET#を除く全てのピンからの入力は無効となる。当然、電源やVref（参照電圧）ピンは適正な電圧を維持しなければならない。セルフリフレッシュモード中は内部クロックは電力消費を抑えるために停止している。そのためセルフリフレッシュモードに入ってからtCKSRE経過後外部クロックの周波数を落としたり停止してもかまわない。ただしセルフリフレッシュモードから抜けるtCKSRX前までには外部クロックは再起動し安定させていなければならない。セルフリフレッシュモードは最低tCKE時間保持しなければならない。

SRXコマンドを入力すればセルフリフレッシュモードを終了する。SRXコマンド入力前に外部クロックを安定させていなければならない。通常のコマンド入力はSRXコマンド入力後に内部のリフレッシュ動作が終了する時間 (tXS) を待たなければならない。またDLLロックを前提としたコマンドの入力はDLL再ロック/ZQキャリブレーション (ZQ calibration:ZQCL) が終了する時間 (tXSDLL) を待たなければならない。

セルフリフレッシュモードのタイミングチャート

[編集] リフレッシュ (Auto Refresh:REF) コマンド

セルフリフレッシュと同様、デバイスのデータを保持するためにオートリフレッシュモードが用意されている。デバイスはリフレッシュ (REF) コマンドを指定するとデバイスはRefreshモードに入る。REFコマンドはアイドル状態でなければ受け付けない。REFコマンド前にバンクプリチャージを行い、かつtRPが経過していなければならない。リフレッシュ期間中、デバイス内部にあるアドレスカウンタがバンクアドレスを供給する。オートリフレッシュ中、外部からアドレスを供給する必要はない。オートリフレッシュサイクルが終了したら全てのバンクはプリチャージが完了しアイドル状態に復帰する。REFコマンド入力から次のアクティブコマンドまたはオートリフレッシュコマンド入力までtRFCの間隔をあけなければならない。

オートリフレッシュモードのタイミングチャート

[編集] パワーダウン (Power Down)

DDR3 SDRAMはCKEをローに落とすことでパワーダウン（省電力モード）に入る。ただしMRSコマンド入力中、MPR動作中、ZQCAL実行中、DLLロック中、リード/ライト動作中、CKEをローに落としてはならない。ローアドレスをアクティブ (Active) にしている最中、プリチャージ (precharge) やオートプリチャージ (auto precharge) 中、リフレッシュ (refresh) 中はCKEをローに落としてもかまわない。ただしパワーダウンの電流スペックはこれらの操作が終わっていることを前提にしているので、電流スペックを満たさないかもしれない。

パワーダウン時にDLLを解除してしまうスローイグジットモード (Slow Exit Mode) を使用するとパワーダウンから抜けたときにリードやODTの同期のために再度DLLをリセットしなければならないのでパワーダウンから抜けたときに素早く復帰するにはDLLはロックしたままのファストイグジットモード (Fast Exit Mode) を使用すべきである。

実行中のコマンドが全て完了した段階で全てのバンクがプリチャージされてからパワーダウンに入ることをプリチャージパワーダウン (precharge power Down) といい、いずれかのバンクがアクティブのままパワーダウンに入ることをアクティブパワーダウン (active power down) という。

パワーダウンに入るとCK, CK#, ODT, CKE, RESET#を除く全ての入力・出力が不活性になる。パワーダウンに入ってからtCPDED期間はNOPかDESLコマンドしか入力してはならない。tCPDED経過後、コマンドやアドレスは不活性になる。

パワーダウン
状態	MR0:A12	DLL	パワーダウンの終了	関係するパラメタ
1つ以上のバンクがアクティブ	無効	オン	早い	tXP経過後にコマンド入力可能
全バンクプリチャージ後	0	オフ	遅い	tXP経過後にACT, AR, MRS, PRE, PALL入力可能。 tXPDLL経過後にDLLコントロールの必要なREAD, READAなどのコマンド入力やODTコントロールが可能。
全バンクプリチャージ後	1	オン	早い	tXP経過後にコマンド入力可能

プリチャージパワーダウンのスローイグジットモードはDLLを解除するが、プリチャージパワーダウンのファストイグジットモードを利用するか、アクティブパワーダウンを利用する場合、DLLを解除しないのでパワーダウンからの復帰は早い。パワーダウン中はCKE ロー、RESET ハイ、安定したクロック入力、有効な状態のODTを維持しなければならない。その他の入力ピンは無効である。RESET#がローになった場合、パワーダウンは解除され、デバイスはリセットされる。

パワーダウンはCKE ハイに同期して終了する。CKE ハイはtCKE期間維持されなければならない。CKEがハイになってからtXPまたはtXPDLL経過後にコマンド入力が可能になる。

リードまたはリードオートプリチャージ(Read Auto Precharge)コマンド入力後のパワーダウンタイミングチャート

ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。バーストチョップを使用してもリードコマンドからパワーダウンエントリを入力できるようになるまでの時間:tRPDENは変わらない。

ライトオートプリチャージ(Write Auto Precharge)コマンド入力後のパワーダウンタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。オートプリチャージ付ライトコマンドの入力時にはデータの書き込み完了からWRサイクル間はパワーダウンすることはできない。バーストチョップを使用してもWRの起点となるサイクルは変わらない。

ライトコマンド入力後のパワーダウンタイミングチャート

ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。ライトコマンドの入力時にはデータの書き込み完了からtWR期間経過後からパワーダウンできる。バーストチョップを使用してもtWRの起点となるサイクルは変わらない。

上:アクティブパワーダウンまたはプリチャージパワーダウンのファストイグジットモードのタイミングチャートとプリチャージパワーダウンのスローイグジットモードのタイミングチャート比較

アクティブパワーダウンまたはファストイグジットモードでパワーダウンしている場合はパワーダウンイグジットからtXP経過後にコマンド入力が可能になる。スローイグジットモードでパワーダウンしている場合はDLLの再ロックのためにtXPDLL経過後にコマンド入力が可能になる。ただしこの場合でもDLLリセットコマンドの入力は不要である。

オートリフレッシュ⇒パワーダウンタイミングチャート

オートリフレッシュコマンドからtREFPDEN経過後、パワーダウンできる。

アクティブ⇒パワーダウンタイミングチャート

アクティブコマンドからtACTPDEN経過後、パワーダウンできる。

プリチャージ⇒パワーダウンタイミングチャート

プリチャージコマンドからtPRPDEN経過後、パワーダウンできる。

MRS⇒パワーダウンタイミングチャート

MRSコマンドからtMRSPDEN経過後、パワーダウンできる。

パワーダウン再入タイミングチャート

パワーダウン終了からtCKE経過後、再度パワーダウンできる。

パワーダウン再入前にオートリフレッシュ (Auto Refresh) がある場合のタイミングチャート

パワーダウン終了後、オートリフレッシュコマンドを入力して再度パワーダウンするとき、パワーダウン終了からtXPDLL経過後、再度パワーダウンできる。

リフレッシュ⇒パワーダウンタイミングチャート

オートリフレッシュコマンド入力後パワーダウンしたとき、リフレッシュコマンドからtRFC経過後かつパワーダウン終了からtCKE経過後、コマンド入力が有効になる。

パワーダウン中にクロック周期を変えた場合のタイミングチャート

パワーダウン中にクロック周波数(おそらく位相変化を含む)を変更した場合、パワーダウン終了からtXP経過後にDLLリセットを行わなければならない。

[編集] ダイナミックオンダイターミネーション (Dynamic On Die Termination:Dynamic ODT)

[編集] 信号の反射について

一般にPCで使われているスタブバス (Stub BUS) はCPU/メモリコントローラとメモリモジュールをつなぐデータラインを複数のメモリモジュールで共有する。各データラインは、メインのデータラインからメモリモジュールのコネクタで分岐する。デバイスの接合部でインピーダンスが大きく異なるためにデバイス端に達した信号はスタブバスはシステムやモジュール,デバイスの設計を簡素化できる反面、デバイス端で発生した反射波が分岐を通してメインの伝送線路に達するために伝送線路上の波形品質が悪化するために高速なデータ転送には不向きとされている。

スタブバスは反射波の影響で波形品質が劣化する

このような場合に高速なデータ転送に必要な波形品質を確保するために、以下のような対策が考えられる。

全てのデバイスを1対1で接続する (Point to Point接続)
終端抵抗をデバイスの直近に設けデバイス端での反射を抑制する。
スタブの距離を短くする。

ODTはデバイス内部に終端抵抗を設けることで、部品点数を増やしコストを増大させることなくデバイス端での反射波を抑制し高速なデータ転送に必要な波形品質を確保している。ODTはDDR2 SDRAMから導入されている。

ODTはスタブバスへの反射の影響を小さくする

DDR3 SDRAMではDQ, DQS, DQS#, DM, TDQS, TDQS#（x8デバイスでTDQSを利用する場合のみ）の終端抵抗のオン/オフのコントロールをODTピンの入力で行うことができる。ODTピンからの入力がハイのときODTはオンに、ローのときODTはオフになる。ただしMR1:A2,A6,A9でODT無効を選択した場合はODTピンの入力によらずODTは常にオフとなる。ODT オフ時セルフリフレッシュの動作は保証されない。ODT オン時の抵抗値 (RTT) はMR1:A2,A6,A9で指定した値となる。

[編集] 同期ODT (Synchronous ODT)

同期ODTとはODTピンの入力からアディティブレイテンシ (Additive Latency) 分遅延してDQピンなどの終端抵抗 (RTT) の値のオン/オフが同期する機能を指す。同期ODTモードを使用する場合はDLLがロックされてなければならない。DLL オフでODTの動作は保証されない。そのためDLL オフの場合、ODTピンの入力をローにするか、MR1:A2,A6,A9でODT無効を選択しODTを継続してオフにしていなければならない。

同期ODTモード時、ODTピンの入力がハイになってからODT オンレイテンシ (ODTLon) 後にRTTはオンになる。同様にODTピンの入力がローになってからODT オフレイテンシ (ODTLoff) 後にRTTはオフになる。ODTLon, ODTLoffはそれぞれODTLon=WL-2=AL+CWL-2, ODTLoff=WL-2=AL+CWL-2で計算する。

同期ODTモード時、以下のタイミングパラメタが適用される。最小RTTオン時間 (tAONmin) はODTLonからメモリデバイスがHi-Z状態からODT抵抗をオンに切り替え始めるタイミング、最大RTTオン時間 (tAONmax) はODTLonからメモリデバイスがODT抵抗を完全にオンにしたタイミングである。逆に最小RTT オフ時間 (tAOFmin) はODTLoffからメモリデバイスがODT抵抗をオフに切り替え始めたタイミング、最大RTT オフ時間 (tAOFmax) はODTLoffからメモリデバイスが完全にHi-Z状態になったタイミングである。

ただし、Hi-Z⇔RTTの切り替わりのタイミングを得るのは非常に難しいため簡易的にDQなどの出力が変化する上がり/下がりエッジの任意の2点を結ぶ直線とVSSQ/VRTTとの交点をスペックとして用いる。

tAON/tAONPD定義説明

ODTH4を満たす時間ODTの入力はハイを保たなければODTオンとなったとは見なされない。ODT ハイでライトコマンドが入力された場合、ライトコマンドからBL4のときはODTH4の間、BL8のときはODTH8の間、ODTの入力はハイを保たなければならない。

ODTH4/ODTH8はODTピンの入力がハイになってからODTピンの入力がローになるまで、またはライトコマンドの入力からODTピンの入力がローになるまでの間を指す。

同期ODTタイミングチャート (AL=3, CWL=5, ODTLon=AL+CWL-2=6)

同期ODTタイミングチャート (BC4,WL=7)

[編集] リード動作中のODT

DDR3 SDRAMは終端と出力を同時に行えない。リード時のプリアンブル (Preamble) より半サイクル以上前にODTピンの入力をローにしてRTTをオフにしていなければならない。またPostamble出力から1サイクル程度RTTは有効にならないだろう。

リード中ODTは無効 (ODT:ロー) にしておかなければならない (CL=6, AL=CL-1=5,RL=AL+CL=11,CWL=5, ODTLon=CWL+AL-2=8)

[編集] ダイナミックODT (Dynamic ODT) の導入

通常動作時とデータ書き込み時で異なる終端抵抗を設定することで、波形品質が向上する場合がある。DDR2 SDRAMではODTの抵抗値を変更するためにはMRSの再設定しなければならなかったが、DDR3 SDRAMでは動的に終端抵抗を変更できる機能ダイナミックODTを導入した。ダイナミックODTはMR2:A9,A10を設定することで有効になる。ダイナミックODTの仕様は以下の通り。

2つのRTT値 (RTT_Nom/RTT_WR) を利用できる。
RTT_NomはMR1:A2,A6,A9で設定する
RTT_WRはMR2:A9,A10で設定する。
終端のオン/オフはODTピンのハイ/ローで指定し、レイテンシはODTLon/ODTLoffである。
ライトコマンド入力からODTLcnw (ODT RTT_Nom⇒RTT_WT レイテンシ)サイクル後にRTT_WRが有効になる。
BL8時、ライトコマンド入力からODTLcwn8 (ODT RTT_WR⇒RTT_Nom レイテンシ) サイクル後にRTT_Nomに戻る。
BC4時、ライトコマンド入力からODTLcwn8 (ODT RTT_WR⇒RTT_Nom レイテンシ) サイクル後にRTT_Nomに戻る。

DLLオフ時、ダイナミックODTの動作は保証されない。DLL オフ時は必ずダイナミックODTをMRSコマンドで無効にしておかなければならない。

ダイナミックODTとレイテンシ/タイミングパラメタ一覧
名称と詳細	略称	定義	規定されているスペック
ODT ターンオンレイテンシ	ODTLon	ODTがハイになってから終端が入るまで	WL-2サイクル
ODT ターンオフレイテンシ	ODTLoff	ODTがローになってから終端が切れるまで	WL-2サイクル
RTT_Nom⇒RTT_WR時のODTレイテンシ	ODTLcnw	ライトコマンド入力からRTTがRTT_NomからRTT_WRに変化するまで	WL-2サイクル
RTT_WR⇒RTT_NOM時のODTレイテンシ (BL4)	ODTLcwn4	ライトコマンド入力からRTTがRTT_WRからRTT_Nomに変化するまで	4+ODTLoffサイクル
RTT_WR⇒RTT_NOM時のODTレイテンシ (BL8)	ODTLcwn8	ライトコマンド入力からRTTがRTT_WRからRTT_Nomに変化するまで	6+ODTLoffサイクル
ODT設定後の最小ODTホールド時間	ODTH4	ODTがハイになってからODTがローになるまで	4
ライト後の最小ODTホールド時間 (BL4)	ODTH4	ODTがハイでライトコマンドの入力があってからODTがローになるまで	4
ライト後の最小ODTホールド時間 (BL8)	ODTH8	ODTがハイでライトコマンドの入力があってからODTがローになるまで	6
RTT変更スキュー	tADC	ODTLcnw/ODTLcwnからRTTが有効になるまで	0.3～0.7サイクル

モードレジスタの設定とRTT値
MR1			RTT_Nom	MR2		RTT_WR
A9	A6	A2	RTT_Nom	A10	A9	RTT_WR
0	0	0	オフ (-)	0	0	RTT_Nom
0	0	1	RZQ/4 (60Ω)	0	1	RZQ/4 (60Ω)
0	1	0	RZQ/2 (120Ω)	1	0	RZQ/2 (120Ω)
0	1	1	RZQ/6 (40Ω)	1	1	RFU (RFU)
1	0	0	RZQ/12 (20Ω)	-	-	-
1	0	1	RZQ/8 (30Ω)	-	-	-
1	1	0	RFU (RFU)	-	-	-
1	1	1	RFU (RFU)	-	-	-

RZQはZQピンにつながる外部抵抗の抵抗値 (240Ω±1%)。ZQピンは外部抵抗RZQを介してGNDに接続する。

ライトコマンドの前後でODT オン/オフしたときのダイナミックODTの振る舞い

ライトコマンドを入力しないときのダイナミックODTの振る舞い

ライトコマンド (BL8) と同時にODT オンし6サイクル後にオフした場合のダイナミックODTの振る舞い

ライトコマンド (BC4) と同時にODT オンし6サイクル後にオフした場合のダイナミックODTの振る舞い

ライトコマンド (BC4) と同時にODT オンし4サイクル後にオフした場合のダイナミックODTの振る舞い

[編集] 非同期ODTモード

メモリデバイスがDLL オンモードで動作中にプリチャージパワーダウン (Precharge Power Down) で一時的にDLLをオフにしたときに非同期ODTモードが選択される。非同期ODTモード中、ODTピンからのコントロールはアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) 時間の遅延は発生しない。最小RTT オン時間 (tAONPDmin) はODT ハイからメモリデバイスがHi-Z状態からODT抵抗をオンに切り替え始めるタイミング、最大RTT オン時間 (tAONPDmax) はODT ハイからメモリデバイスがODT抵抗を完全にオンにしたタイミングである。逆に最小RTT オフ時間 (tAOFPDmin) はODT ハイからメモリデバイスがODT抵抗をオフに切り替え始めたタイミング、最大RTT オフ時間 (tAOFPDmax) はODT ハイからメモリデバイスが完全にHi-Z状態になったタイミングである。

非同期ODTタイミングチャート

非同期ODTタイミングパラメタは以下のように規定されている。

非同期ODTタイミングパラメタ
略称	内容	最小	最大
tAONPD	非同期ODT オン遅延時間	1[ns]	9[ns]
tAOFPD	非同期ODT オフ遅延時間	1[ns]	9[ns]

パワーダウンオン/オフ変更時のODTタイミングパラメタ
説明	最小	最大
ODT ⇒ RTT オン遅延時間	ODTLon×tCK+tAONmin または tAONPDminのうち小さい方	ODTLon×tCK+tAONmax または tAONPDmaxのうち大きい方
ODT ⇒ RTT オン遅延時間	(WL-2)×tCK+tAONmin または tAONPDminのうち小さい方	(WL-2)×tCK+tAONmax または tAONPDmaxのうち小さい方
ODT ⇒ RTT オフ遅延時間	ODTLoff×tCK+tAOFmin または tAOFPDminのうち小さい方	ODTLoff×tCK+tAOFmax または tAOFPDmaxのうち大きい方
ODT ⇒ RTT オフ遅延時間	(WL-2)×tCK+tAOFmin または tAOFPDminのうち小さい方	(WL-2)×tCK+tAOFmax または tAOFPDmaxのうち小さい方
tANPD	WL-1

[編集] 同期ODTモード ⇔ 非同期ODTモードの移行

プリチャージパワーダウン (Precharge Power Down) のスローイグジットモード (Slow Exit Mode) を開始するとODTのモードが同期ODTモードから非同期ODTモードへ移行する。

プリチャージパワーダウンのスローイグジットモード開始でODTのモードが同期ODTモードから非同期ODTモードへ変化する様子

プリチャージパワーダウンのスローイグジットモードを終了するとODTのモードが非同期ODTモードから同期ODTモードへ移行する。

プリチャージパワーダウンのスローイグジットモード終了でODTのモードが非同期ODTモードから同期ODTモードへ変化する様子

[編集] ZQキャリブレーション (ZQ Calibration:ZQCAL) コマンド

ZQキャリブレーションは出力抵抗RonおよびODTを補正するために用いられる。DDR3 SDRAMは初期化時のRONとODTの補正により長い時間を要する。また定期的にRON/ODTの補正が必要になる。この補正は初期化時よりも短い時間で完了する。

ZQキャリブレーションロング (ZQ Calibration Long:ZQCL) コマンドは電源投入後の初期化シーケンス内で行われる初期補正で使用される（もちろん、このコマンドは電源投入時だけではなくシステム環境に応じてコントローラはいつでも入力できる）。ZQCLコマンドはメモリデバイス内部の補正回路を起動する。補正完了と共に補正値は補正回路から入出力部へ送られ、RON/ODTを更新・反映される。リセット後の最初のZQCLコマンドは完全な補正と全ての値の更新のためにtZQinit (512サイクル) の期間を必要とする。それ以外のときはZQCLはtZQoper (256サイクル) で完了する。 ZQキャリブレーションショート (ZQ Calibration Short:ZQCS) コマンドは定期的な補正で使用される。ZQCSコマンドはZQCLコマンドに比べて短い時間:tZQCS(64サイクル)で補正を完了する。 tZQinit/tZQopen/tZQCSの間は抵抗値の補正精度を高めるためにメモリデバイスの入出力チャンネルを静止状態に保たなければならない。DLL ロックと同時にZQキャリブレーションを行うことは可能である。

ZQCSは下式で示される間隔以下で実行することが推奨されている。

$\Delta ZQCS = \frac{ 0.5^{[%]} }{ (T_{sens} \times T_{driftrate}) + (V_{sens} \times V_{driftrate})}$

ただし、式中の $Δ Z Q C S$ はZQCSコマンド間隔の推奨値、 $T s e n s$ は最大温度感度(抵抗値がどれくらい温度の変化に敏感かを示す値)、 $T d r i f t r a t e$ はシステムの温度変化の周期、 $V s e n s$ は最大電圧感度(抵抗値がどれくらい電源電圧の変化に敏感かを示す値)、 $V d r i f t r a t e$ は電圧変化の周期を表す。

ここで、対象デバイスの $T s e n s$ および $V s e n s$ のスペックが $T_{sens}=2.0^{[%/^\circ C]}$ $T_{driftrate}=0.20^{[%/mV]} \,$ であり、システム環境が $V_{sens}=1.0^{[^\circ C/s]}$ $V_{driftrate}=5^{[mV/s]} \,$ で、あたえられるときZQCSコマンド間隔の推奨値 $Δ Z Q C S$ は以下のように求めることができる。

$\begin{align} \Delta ZQCS &= \frac{ 0.5^{[%]} }{ (T_{sens} \times T_{driftrate}) + (V_{sens} \times V_{driftrate})} \\ &= \frac{ 0.5^{[%]} }{ (2.0^{[%/^\circ C]} \times 1.0^{[^\circ C/s]}) + ( 0.20^{[%/mV]} \times 5^{[mV/s]}) } \\ &= \frac{0.5^{[%]}}{2.0^{[%/s]} + 1.0^{[%/s]}} \\ &= 167^{[ms]} \\ \end{align}$

[編集] 電流スペックと測定条件

DDR3 SDRAMの電流スペックとしてIDD0,IDD1,IDD2P,IDD2Q,IDD2N,IDD3P,IDD3N,IDD4W,IDD4R,IDD5B,IDD6,IDD6ET,IDD7が定義されている。ここでは電流スペックとその測定条件について説明する。なお測定条件表中のスペック値には以下を用いる。

電流測定条件中のスペック値
パラメタ	DDR3-1066	DDR3-1333
CL (IDD)	7	9
tCKmin (IDD)	1.875[ns]	1.5 [ns]
tRCDmin (IDD)	13.13[ns]	13.5[ns]
tRCmin (IDD)	50.63[ns]	49.5[ns]
tRASmin (IDD)	37.5 [ns]	36 [ns]
tRPmin (IDD)	13.13[ns]	13.5[ns]
tFAW (IDD) x4/x8	37.5 [ns]	30 [ns]
tFAW (IDD) x16	50 45[ns]	40 [ns]
tRRD (IDD) x4/x8	7.5 [ns]	6.0 [ns]
tRDD (IDD) x16	10 [ns]	7.5 [ns]
tRFC (IDD) - 1Gb	110 [ns]	110 [ns]

[編集] 測定条件IDD0

IDD0電流測定条件
名称	IDD0
説明	アクティブ～プリチャージ中の電流
タイミングチャート	なし
CKE	ハイ
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	tRCmin (IDD)
tRAS	tRASmin (IDD)
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS	アクティブ～プリチャージ間ハイ
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す A0,D,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,P0 A0 - アクティブ (バンク 0) P0 - プリチャージ (バンク 0) D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	ロウアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す。ただしA10は常にローを維持する。
バンクアドレス	0
データ I/O	各サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返して入力する
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	NA
アクティブバンク	1バンク
アイドルバンク	他7バンク
プリチャージパワーダウン	NA

IDD0タイミングチャート

[編集] 測定条件IDD1

IDD1電流測定条件
名称	IDD1
説明	アクティブ～リード～プリチャージ中の電流
タイミングチャート	IDD1測定タイミングチャート参照
CKE	ハイ
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	tRCmin (IDD)
tRAS	tRASmin (IDD)
tRCD	tRCDmin (IDD)
tRRD	NA
CL	CL (IDD)
AL	0
CS	アクティブ～リード～プリチャージ間ハイ
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す A0,D,D#,D#,D,R0,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,P0 A0 - アクティブ (バンク 0) R0 - リード (バンク 0) P0 - プリチャージ (バンク 0) D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	ロウアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す。ただしA10は常にローを維持する。
バンクアドレス	0
データ I/O	出力データがサイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	8
アクティブバンク	1バンク
アイドルバンク	他7バンク
プリチャージパワーダウン	NA

IDD1タイミングチャート

[編集] 測定条件IDD2N

IDD2N 電流測定条件
名称	IDD2N
説明	プリチャージ～スタンバイ電流
タイミングチャート	IDD2N/IDD3N測定タイミングチャート参照
CKE	ハイ
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS	ハイ
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す D,D,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,D#.. D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	ロウアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
バンクアドレス	ロウアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
データ	各サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返して入力する
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	NA

IDD2N/IDD3Nタイミングチャート

[編集] 測定条件IDD2P (1)

IDD2P (1) 電流測定条件
名称	IDD2P (1)
説明	プリチャージパワーダウン電流(ファストイグジット)
タイミングチャート
CKE	ロー
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS	一定
コマンド	一定
アドレス	一定
バンクアドレス	一定
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	ファストイグジット

[編集] 測定条件IDD2P (0)

IDD2P (0) 電流測定条件
名称	IDD2P (0)
説明	プリチャージパワーダウン電流(スローイグジット)
タイミングチャート
CKE	ロー
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS	ハイ
コマンド	一定
アドレス	一定
バンクアドレス	一定
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	スローイグジット

[編集] 測定条件ID2Q

IDD2Q電流測定条件
名称	IDD2Q
説明	プリチャージ静止スタンバイ電流
タイミングチャート
CKE	ロー
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS	一定
コマンド	一定
アドレス	一定
バンクアドレス	一定
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	オフ
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	NA

[編集] 測定条件IDD3N

IDD3N電流測定条件
名称	IDD3N
説明	アクティブスタンバイ電流
タイミングチャート	IDD2N/IDD3N測定タイミングチャート参照
CKE	H
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS#	H
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す D,D,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,D#.. D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
バンクアドレス	4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
データ	各サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返して入力する
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	NA

[編集] 測定条件IDD3P

IDD3P (1) 電流測定条件
名称	IDD3P (1)
説明	アクティブパワーダウン電流
タイミングチャート
CKE	L
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS#	一定
コマンド	一定
アドレス	一定
バンクアドレス	一定
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	NA
アクティブバンク	なし
アイドルバンク	全バンク
プリチャージパワーダウン	NA

[編集] 測定条件IDD4R

IDD4R 電流測定条件
名称	IDD4R
説明	バーストリード電流
タイミングチャート	IDD4R測定タイミングチャート参照
CKE	H
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	CL (IDD)
AL	0
CS#	コマンド間H
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す R0,D,D#,D#,R1,D,D#,D#,R2,D,D#,D#,R3,D,D#,D#,R4..... Rx = リード (バンクx) D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	カラムアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す (A10は常にロー)
バンクアドレス	バンクアドレスを繰り返す (0 → 1 → 2 → 3 ...)
データ	各クロックでハイ/ロー繰り返すようなデータ (BL8)
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	8
アクティブバンク	全バンク
アイドルバンク	なし
プリチャージパワーダウン	NA

IDD4Rタイミングチャート

[編集] 測定条件IDD4W

IDD4W電流測定条件
名称	IDD4W
説明	バーストライト電流
タイミングチャート	IDD4W測定タイミングチャート参照
CKE	H
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	CL (IDD)
AL	0
CS#	コマンド間H
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す W0,D,D#,D#,W1,D,D#,D#,W2,D,D#,D#,W3,D,D#,D#,W4... Wx = ライト(バンクx) D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	カラムアドレスを4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す (A10は常にロー)
バンクアドレス	バンクアドレスを繰り返す (0 → 1 → 2 → 3 ...)
データ	各クロックでハイ/ロー繰り返すようなデータ (BL8)
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	8
アクティブバンク	全バンク
アイドルバンク	なし
プリチャージパワーダウン	NA

IDD4Wタイミングチャート

[編集] 測定条件 (IDD5B)

IDD5B電流測定条件
名称	IDD5B
説明	バーストリフレッシュ電流
CKE	H
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
tRFC	tRFCmin (IDD)
CL	NA
AL	NA
CS#	コマンド間H
コマンド	以下のシーケンスを繰り返す D,D,D#,D#,D,D,D#,D#,D,D,D#,D#.. D - CS# RAS# CAS# WE# = H L L L D# - CS# RAS# CAS# WE# = H H H H
アドレス	4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
バンクアドレス	4サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返す
データ	各サイクルごとにハイ/ローの反転を繰り返して入力する
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	NA
アクティブバンク	tRFCサイクルごとにリフレッシュコマンド入力
アイドルバンク	なし
プリチャージパワーダウン (Precharge Power Down)	NA

[編集] 測定条件IDD6

IDD6電流測定条件
名称	IDD6
説明	セルフリフレッシュ電流 (通常温度範囲:0～85℃)
温度	85℃
Auto セルフリフレッシュ (ASR)	無効
セルフリフレッシュ Temperature Range (SRT)	無効
CKE	L
クロック	オフ (CK/CK#共にロー)
tCK	NA
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS#	フローティング
コマンド	フローティング
アドレス	フローティング
バンクアドレス	フローティング
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	8
アクティブバンク	全バンク (セルフリフレッシュ中)
アイドルバンク	全バンク (セルフリフレッシュ間)
プリチャージパワーダウン (Precharge Power Down)	NA

[編集] 測定条件IDD6ET

IDD6ET電流測定条件
名称	IDD6ET
説明	セルフリフレッシュ電流 (拡張温度範囲:0～95℃)
温度	95℃
Auto セルフリフレッシュ (ASR)	無効
セルフリフレッシュ Temperature Range (SRT)	無効
CKE	L
クロック	オフ (CK/CK#共にロー)
tCK	NA
tRC	NA
tRAS	NA
tRCD	NA
tRRD	NA
CL	NA
AL	NA
CS#	フローティング
コマンド	フローティング
アドレス	フローティング
バンクアドレス	フローティング
データ	フローティング
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	8
アクティブバンク	全バンク (セルフリフレッシュ中)
アイドルバンク	全バンク (セルフリフレッシュ間)
プリチャージパワーダウン (Precharge Power Down)	NA

IDD6電流定義
名称	パラメタ	パラメタ・条件
IDD6	通常温度範囲でのセルフリフレッシュ電流	CKE≦0.2V, クロックオフ, CK/CK#:0V, 他のコントロール・アドレス入力:フローティング, データバス入力:フローティング, PASR:disable, MR2:A6,A7=0,0
IDD6ET	拡張温度範囲でのセルフリフレッシュ電流	CKE≦0.2V, クロックオフ, CK/CK#:0V, 他のコントロール・アドレス入力:フローティング, データバス入力:フローティング, PASR:disable, MR2:A6,A7=0,1
IDD6TC	オートリフレッシュ電流	CKE≦0.2V, クロックオフ, CK/CK#:0V, 他のコントロール・アドレス入力:フローティング, データバス入力:フローティング, PASR:disable, MR2:A6,A7=1,0

[編集] 測定条件IDD7

IDD7電流測定条件
名称	IDD7
説明	全バンクインターリーブリード電流
タイミングチャート
CKE	H
クロック	オン
tCK	tCKmin (IDD)
tRC	tRCmin (IDD)
tRAS	tRASmin (IDD)
tRCD	tRCDmin (IDD)
tRRD	tRRDmin (IDD)
CL	CL (IDD)
AL	tRCDmin-1tCK
CS#	コマンド間H
コマンド	IDD7タイミングパターン参照
アドレス	一定
バンクアドレス	バンクアドレスを繰り返す (0 → 1 → 2 → 3 ...)
データ	各クロックでハイ/ロー繰り返すようなデータ (BL8)
出力バッファ	オフ
ODT	無効
バースト長	8
アクティブバンク	全バンク
アイドルバンク	なし
プリチャージパワーダウン	NA

[編集] IDD7 タイミングパターン

IDD7 タイミングパターン
種類	ビット数	tFAQ	tRRD	パターン
DDR3-800	×4/×8	16tCK 40ns	4tCK 10ns	A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 D D A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6 RA6 D D A7 RA7 D D
DDR3-800	×16	20tCK 50ns	4tCK 10ns	A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 D D D D D D A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
DDR3-1066	×4/×8	20tCK 37.5ns	4tCK 7.5ns	A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 DD D D D D A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
DDR3-1066	×16	27tCK 50ns	6tCK 10ns	A0 RA0 D D D D A1 RA1 D D D D A2 RA2 D DD D A3 RA3 D D D D D D D A4 RA4 D D D D A5 RA5 D D D D A6 RA6 D D D D A7 RA7 D D D DD D D
DDR3-1333	×4/×8	20tCK 30ns	4tCK 6ns	A0 RA0 D D A1 RA1 D D A2 RA2 D D A3 RA3 D D D D D D A4 RA4 D D A5 RA5 D D A6 RA6 DD A7 RA7 D D D D D D
DDR3-1333	×16	30tCK 45ns	5tCK 7.5ns	A0 RA0 D D D A1 RA1 D D D A2 RA2 D D D A3 RA3 D D D D D D D D D D D D D A4 RA4 D D DA5 RA5 D D D A6 RA6 D D D A7 RA7 D D D DD D D D D D D D D

Ax : Active (バンクx)
RAx: リードオートプリチャージ (バンクx)

[編集] 外部リンク

JEDEC （英語）
エルピーダメモリ株式会社 (Elpida Memory, Inc.) （英語）
ハイニックス半導体 (Hynix Semiconductor) （英語）
華亜科技 (Inotera memories) （英語）
南亜科技 (Nanya Technology) （英語）
力晶半導体 (Powerchip Semiconductor Corp.) （英語）
キマンダ (Qimonda AG) （英語）
サムスン電子 (Samsung Electronics) （英語）
マイクロン・テクノロジー (Micron Technology) （英語）

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最終更新 2009年12月4日 (金) 16:32 （日時は個人設定で未設定ならばUTC）。
【DDR3 SDRAM】変更履歴

DDR3 SDRAM

目次

[編集] 規格

[編集] DDR3 SDRAMの持つピン名称と機能の説明

[編集] コマンドとオペレーション

[編集] 状態遷移図

[編集] リセットと初期化

[編集] リセットピンについて

[編集] 電源投入と初期化手順

[編集] モードレジスタセット (Mode Register Set:MRS) の書き込み手順

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能

[編集] バースト長 (Burst Length:BL)・バーストタイプ (Burst Type:BT)

[編集] CASレイテンシ (CAS Latency:CL)

[編集] テストモード (Test Mode:TM)

[編集] DLLリセット (DLL Reset)

[編集] ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge)

[編集] プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down)

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能

[編集] DLLイネーブル (DLL Enable)

[編集] 出力ドライバインピーダンスコントロール (Output Driver Impedance Control:DIC)

[編集] 通常時の終端抵抗指定値 (RTT_Nom)

[編集] アディティブレイテンシ (Additive Latency:AL)

[編集] ライトレベリング (Write Leveling)

[編集] 出力禁止 (Output Buffer Disable:Qoff)

[編集] ターミネーションDQSイネーブル (Termination DQS Enable:TDQS)

[編集] モードレジスタ (Mode Register)MR2と設定できる機能

[編集] パーシャルアレイセルフリフレッシュ (Partial Array Self Refresh:PASR) - オプション機能

[編集] CASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL)

[編集] オートセルフリフレッシュ (Auto Self Refresh Method:ASR) とセルフリフレッシュテンプラチャ (Self-Refresh Temperature Range:SRT)

[編集] ライト時の終端抵抗 (RTT_WR)

[編集] モードレジスタ (Mode Register) MR3と設定できる機能

[編集] マルチパーパスレジスタ (Multi-Purpose Register:MPR) - リードレベリング (Read Leveling)

[編集] アクティブコマンド (Active:ACT)

[編集] プリチャージコマンド (Precharge:PRE,PREA)

[編集] リードコマンド

[編集] ライトコマンド

[編集] セルフリフレッシュエントリ (Self Refresh Entry:SRE) コマンドとセルフリフレッシュイグジット (Self Refresh Exit:SRX) コマンド

[編集] リフレッシュ (Auto Refresh:REF) コマンド

[編集] パワーダウン (Power Down)

[編集] ダイナミックオンダイターミネーション (Dynamic On Die Termination:Dynamic ODT)

[編集] 信号の反射について

[編集] 同期ODT (Synchronous ODT)

[編集] リード動作中のODT

[編集] ダイナミックODT (Dynamic ODT) の導入

[編集] 非同期ODTモード

[編集] 同期ODTモード ⇔ 非同期ODTモードの移行

[編集] ZQキャリブレーション (ZQ Calibration:ZQCAL) コマンド

[編集] 電流スペックと測定条件

[編集] 測定条件IDD0

[編集] 測定条件IDD1

[編集] 測定条件IDD2N

[編集] 測定条件IDD2P (1)

[編集] 測定条件IDD2P (0)

[編集] 測定条件ID2Q

[編集] 測定条件IDD3N

[編集] 測定条件IDD3P

[編集] 測定条件IDD4R

[編集] 測定条件IDD4W

[編集] 測定条件 (IDD5B)

[編集] 測定条件IDD6

[編集] 測定条件IDD6ET

[編集] 測定条件IDD7

[編集] IDD7 タイミングパターン

[編集] 外部リンク

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