Static Random Access Memory

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Static Random Access Memory（スタティックランダムアクセスメモリ）、略称スタティックRAM（スタティックラム）、SRAM（エスラム）は、フリップフロップ等の順序回路を用いてデータを記憶するRAM。電力の供給がなくなると、記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。

DRAMと異なりリフレッシュ操作が不要であり、記憶保持状態での消費電力をきわめて小さくすることができる。

DRAMと比べて記憶容量あたりの単価が高いため、高速な情報の出し入れが可能な点を生かしたキャッシュメモリでの使用や、低消費電力を生かした携帯型機器での使用など、比較的データ量の少ない用途によく用いられる。低消費電力の例として、SRAMに小さな電池を内蔵あるいは外部に配置することで、主電源が供給されない間も記憶情報を保持する仕組みの不揮発メモリ（NVRAM, コンピュータの時計やBIOS設定情報の保持など）が挙げられる。（バッテリーバックアップ機能）

なお、現在では従来のDRAMの記憶セルを用いながら、消費電力を低減してSRAMと同じインターフェースを持つ疑似SRAMもある。

SRAMの応用としてプログラマブルロジックデバイスがある。これはSRAMの高速動作を利用したもので、記憶セルの状態によってマトリクス状の配線を接続・切断する事により、ゲートアレイとして機能させる物である。プログラマブルロジックデバイスの一種であるFPGAは、配線だけでなく論理セルの構造もSRAMによるLUT（Look Up Table）で構成されているものもある。

[編集] 関連項目

• ダイナミックランダムアクセスメモリ
• SRAMカード
• バッテリーバックアップ
• ソフトエラー